对比图
型号 JANS2N3439 JANTX2N3439 2N3439L
描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORTrans GP BJT NPN 350V 1A 3Pin TO-39NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-205 TO-39-3 TO-5
耗散功率 - 800 mW 0.8 W
击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V 350 V
最小电流放大倍数(hFE) 40 @20mA, 10V 40 @20mA, 10V 40 @20mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) - 160 @20mA, 10V -
额定功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW
极性 NPN - NPN
集电极最大允许电流 1A - 1A
封装 TO-205 TO-39-3 TO-5
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Bag Bag
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead