对比图
型号 IPI086N10N3G IPI126N10N3G IPI12CN10NG
描述 OptiMOS®3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)OptiMOSTM3功率三极管 OptiMOSTM3 Power-TransistorOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-262 TO-262
引脚数 - - 3
上升时间 42 ns - -
下降时间 8 ns - -
极性 - - N-Channel
耗散功率 - - 125 W
封装 TO-262-3 TO-262 TO-262
工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 - - No SVHC