IRFZ44ZSPBF和IRLZ44ZSPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFZ44ZSPBF IRLZ44ZSPBF PSMN015-60BS

描述 INFINEON  IRFZ44ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 55 V, 13.9 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRLZ44ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 55 V, 13.5 mohm, 10 V, 3 VNXP  PSMN015-60BS  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0126 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

额定功率 80 W 80 W -

通道数 1 - -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0139 Ω 0.0135 Ω 0.0126 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 80 W 80 W 86 W

阈值电压 4 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V

漏源击穿电压 55 V - -

连续漏极电流(Ids) 51A 51A -

上升时间 68 ns 160 ns -

输入电容(Ciss) 1420pF @25V(Vds) 1620pF @25V(Vds) 1220pF @30V(Vds)

下降时间 41 ns 42 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 80000 mW 80W (Tc) 86 W

长度 10.67 mm 10.67 mm 10.3 mm

宽度 9.65 mm 9.65 mm 11 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm 4.5 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Discontinued at Digi-Key Unknown

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Exempt

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - -

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