IPD78CN10N G和IRLR130ATM

对比图

型号 IPD78CN10N G IRLR130ATM IRLR130A

描述 Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能N沟道 100V 13A先进的功率MOSFET ADVANCED POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

引脚数 3 3 -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) - 13.0 A 13A

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 13.0 A -

漏源极电阻 - 120 mΩ -

耗散功率 31 W 2.5 W -

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

上升时间 4 ns 11 ns -

输入电容(Ciss) 538pF @50V(Vds) 755pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 31 W 2.5 W -

下降时间 3 ns 15 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 31 W 2.5W (Ta), 46W (Tc) -

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.41 mm 2.39 mm -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 -