FDD6030L和FDD8882

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDD6030L FDD8882

描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFETPowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 30.0 V

额定电流 - 55.0 A

漏源极电阻 14.5 mΩ 11.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 3.2 W 55 W

输入电容 - 1.26 nF

栅电荷 - 22.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 50.0 A 55.0 A

上升时间 7 ns 82 ns

输入电容(Ciss) 1230pF @15V(Vds) 1260pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.5 W 55 W

下降时间 12 ns 25 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.2W (Ta), 56W (Tc) 55W (Tc)

通道数 1 -

阈值电压 1 V -

长度 - 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

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