2SA1162和BCW70T116

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SA1162 BCW70T116

描述 -0.15A, -50V PNP Silicon General Purpose TransistorBipolar Transistors - BJT PNP 45V 100mA

数据手册 --

制造商 Secos ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 - SOT-23-3

额定电压(DC) - -45.0 V

额定电流 - -100 mA

耗散功率 - 0.2 W

增益频宽积 - 250 MHz

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V

最小电流放大倍数(hFE) - 210

最大电流放大倍数(hFE) - 500

长度 - 2.9 mm

宽度 - 1.3 mm

高度 - 0.95 mm

封装 - SOT-23-3

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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