对比图
型号 FDS6298 IRF7413 SI4686DY-T1-E3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6298 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 7.4 mohm, 10 V, 1.7 VTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8Pin SOICVISHAY SI4686DY-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 18.2 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.0074 Ω - 0.0078 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3 W 2.5 W 5.2 W
阈值电压 1.7 V - 3 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30.0 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 13.0 A 13.0 A 18.2 A
上升时间 5 ns 8.00 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 1108pF @15V(Vds) - 1220pF @15V(Vds)
下降时间 7 ns - 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 3W (Ta) - 3000 mW
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 13.0 A 13.0 A -
通道数 1 - -
输入电容 1.11 nF - -
栅电荷 10.0 nC - -
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
额定功率(Max) 1.2 W - -
产品系列 - IRF7413 -
长度 4.9 mm - 4.9 mm
宽度 3.9 mm - 3.9 mm
高度 1.75 mm - 1.55 mm
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Active Active -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - -