FQA28N15_F109和FQA46N15

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQA28N15_F109 FQA46N15 FQA28N15

描述 150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQA46N15  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 33 mohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQA28N15  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 0.067 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-3-3

引脚数 - 3 3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 227W (Tc) 250 W 227 W

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 33A 50.0 A 33.0 A

输入电容(Ciss) 1600pF @25V(Vds) 3250pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 227W (Tc) 250W (Tc) 227W (Tc)

额定电压(DC) - 150 V 150 V

额定电流 - 50.0 A 33.0 A

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 33 mΩ 0.067 Ω

阈值电压 - 4 V 4 V

漏源击穿电压 - 150 V 150 V

栅源击穿电压 - ±25.0 V ±25.0 V

上升时间 - 320 ns 180 ns

额定功率(Max) - 250 W 227 W

下降时间 - 200 ns 115 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-3-3

长度 - 15.8 mm 15.8 mm

宽度 - 5 mm 5 mm

高度 - 20.1 mm 20.1 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube, Rail Rail, Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台