对比图
型号 AUIRF2807 IRF2807PBF
描述 N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRF2807PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 230 W 200 W
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.013 Ω 0.013 Ω
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 230 W 150 W
阈值电压 2 V 4 V
输入电容 - 3820pF @25V
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V
漏源击穿电压 - 75 V
连续漏极电流(Ids) 82A 82A
上升时间 64 ns 64 ns
输入电容(Ciss) 3820pF @25V(Vds) 3820pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 230 W
下降时间 48 ns 48 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 230W (Tc) 230W (Tc)
通道数 - -
产品系列 - -
长度 10.66 mm 10.54 mm
宽度 4.82 mm 4.69 mm
高度 16.51 mm 8.77 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon -
产品生命周期 Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - -