CY7C1414AV18-250BZC和CY7C1414AV18-250BZXC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1414AV18-250BZC CY7C1414AV18-250BZXC CY7C1414JV18-250BZXC

描述 36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 FBGA-165 BGA FBGA-165

引脚数 165 - -

电源电压 1.7V ~ 1.9V - 1.7V ~ 1.9V

位数 36 - -

存取时间(Max) 0.45 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

封装 FBGA-165 BGA FBGA-165

高度 0.89 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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