IRF7379和IRF7379TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7379 IRF7379TRPBF RF737

描述 SOIC N+P 30V 5.8A/4.3A双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.8 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 1 VPower Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA,

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 -

额定功率 - 2.5 W -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.038 Ω -

极性 N+P N-Channel, P-Channel -

耗散功率 - 2.5 W -

阈值电压 - 1 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 5.8A/4.3A 5.8A/4.3A -

输入电容(Ciss) 520pF @25V(Vds) 520pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2500 mW -

封装 SOIC-8 SOIC-8 -

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

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