对比图
型号 IRF7379 IRF7379TRPBF RF737
描述 SOIC N+P 30V 5.8A/4.3A双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.8 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 1 VPower Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA,
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 - 8 -
封装 SOIC-8 SOIC-8 -
额定功率 - 2.5 W -
针脚数 - 8 -
漏源极电阻 - 0.038 Ω -
极性 N+P N-Channel, P-Channel -
耗散功率 - 2.5 W -
阈值电压 - 1 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -
连续漏极电流(Ids) 5.8A/4.3A 5.8A/4.3A -
输入电容(Ciss) 520pF @25V(Vds) 520pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 2500 mW -
封装 SOIC-8 SOIC-8 -
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free -