对比图
型号 IRFP32N50KPBF STW20NM50FD STW23NM50N
描述 功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STW20NM50FD 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STW23NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.162 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 500 V 500 V -
额定电流 32.0 A 20.0 A -
额定功率 460 W - -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 160 mΩ 0.25 Ω 0.162 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 460 W 214 W 125 W
阈值电压 5 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 32.0 A 20.0 A -
上升时间 120 ns 20 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 5280pF @25V(Vds) 1380pF @25V(Vds) 1330pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 460 W 214 W 125 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -55 ℃
下降时间 - 15 ns 29 ns
耗散功率(Max) - 214W (Tc) 125W (Tc)
通道数 - 1 -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 15.75 mm 15.75 mm
宽度 - 5.15 mm 5.15 mm
高度 - 20.15 mm 20.15 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99
香港进出口证 - NLR -