MC33152DR2G和MC34151PG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC33152DR2G MC34151PG MC33152DR2

描述 ON SEMICONDUCTOR  MC33152DR2G  MOSFET Driver, 6.1V-18V supply, SOIC-8 新ON SEMICONDUCTOR  MC34151PG  双功率驱动器, 6.5V-18V电源, 1.5A输出, 36ns延迟, DIP-8高速双MOSFET驱动器 HIGH SPEED DUAL MOSFET DRIVERS

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 PDIP-8 SOIC-8

电源电压(DC) 18.0V (max) 6.50V (min) 18.0V (max)

上升/下降时间 36ns, 32ns 31ns, 32ns 36ns, 32ns

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

输出接口数 2 2 2

输出电压 - 11.2 V -

输出电流 - 1.50 A -

针脚数 8 8 -

耗散功率 0.56 W 1 W 560 mW

上升时间 36 ns 31 ns 36 ns

输出电流(Max) 1.5 A 1.5 A -

下降时间 32 ns 32 ns 32 ns

下降时间(Max) - 32 ns -

上升时间(Max) - 31 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ 40 ℃

耗散功率(Max) 560 mW 1000 mW -

电源电压 6.1V ~ 18V 6.5V ~ 18V 6.1V ~ 18V

电源电压(Max) 18 V 18 V -

电源电压(Min) 6.1 V 6.5 V 6.5 V

工作电压 6.1V ~ 18V - -

长度 5 mm 10.16 mm -

宽度 4 mm 6.6 mm -

高度 1.5 mm 3.44 mm -

封装 SOIC-8 PDIP-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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