MUN2114T1G和SMUN2113T1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN2114T1G SMUN2113T1 UNR211400L

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorSC-59 PNP 50V 100mAMini3-G1 PNP 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Panasonic (松下)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SC-59 SOT-23-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V - 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 230 mW - 200 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

耗散功率 338 mW - -

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 338 mW - -

封装 SOT-23-3 SC-59 SOT-23-3

长度 2.9 mm - -

宽度 1.5 mm - -

高度 1.09 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

ECCN代码 EAR99 - -

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