IRLR2905ZTRPBF和STD30NF06LT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR2905ZTRPBF STD30NF06LT4 STD60NF55LT4

描述 N沟道,55V,42A,13.5mΩ@10VSTMICROELECTRONICS  STD30NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.022 ohm, 2.5 V, 1.7 VSTMICROELECTRONICS  STD60NF55LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 12 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 60.0 V 55.0 V

额定电流 - 35.0 A 60.0 A

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.022 Ω 0.012 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 70 W 110 W

阈值电压 - 1.7 V 2 V

输入电容 - 1600 pF -

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V

漏源击穿电压 - 60.0 V 55.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) 42.0 mA 35.0 A 30.0 A

上升时间 - 105 ns 180 ns

输入电容(Ciss) 1570pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds) 1950pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 70 W 110 W

下降时间 - 25 ns 35 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 70W (Tc) 100W (Tc)

长度 - 6.6 mm 6.6 mm

宽度 - 6.2 mm 6.2 mm

高度 - 2.4 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/06/16

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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