对比图
型号 STGE200NB60S STGE50NC60WD IXGN200N60A2
描述 STMICROELECTRONICS STGE200NB60S 单晶体管, IGBT, 200 A, 1.2 V, 600 W, 600 V, ISOTOP, 4 引脚STMICROELECTRONICS STGE50NC60WD 单晶体管, IGBT, 100 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, ISOTOP, 4 引脚Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 700000mW 4Pin SOT-227B
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Screw Through Hole -
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 150 A - -
额定功率 600 W - -
针脚数 4 4 -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 600 W 260 W 700000 mW
漏源极电压(Vds) 600 V - -
连续漏极电流(Ids) 200 A - -
上升时间 112 ns 17.0 ns -
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
输入电容(Cies) 1.56nF @25V 4.7nF @25V 9.9nF @25V
额定功率(Max) 600 W 260 W 700 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 600000 mW 260 W 700000 mW
长度 38.2 mm 38.2 mm -
宽度 25.5 mm 25.5 mm -
高度 9.1 mm 12.2 mm -
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -