ZXM61P02F和ZXM61P02FTC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZXM61P02F ZXM61P02FTC ZXM61P02FTA

描述 DIODES INC.  ZXM61P02F  晶体管, MOSFET, P沟道, 900 mA, -20 V, 600 mohm, 4.5 V, -700 mV20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETZXM61P02F 系列 20V 0.6 Ohm P-沟道 增强模式 垂直 DMOS FET-SOT-23

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管

基础参数对比

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.6 Ω 900 mΩ 900 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 625 mW 625mW (Ta) 0.806 W

阈值电压 700 mV - -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 900 mA 900 mA 900 mA

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

额定电压(DC) - -20.0 V -20.0 V

额定电流 - -800 mA -800 mA

通道数 - - 1

输入电容 - 150 pF 150 pF

栅电荷 - - 3.50 nC

漏源击穿电压 - - 20 V

栅源击穿电压 - ±12.0 V ±12.0 V

上升时间 - 6.70 ns 6.7 ns

输入电容(Ciss) - 150pF @15V(Vds) 150pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - - 625 mW

下降时间 - - 10.1 ns

工作温度(Min) - - 55 ℃

耗散功率(Max) - 625mW (Ta) 806 mW

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - - 3.04 mm

宽度 - - 1.4 mm

高度 - - 1.02 mm

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

军工级 Yes - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

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