BCW29,215和BCW30LT1G

对比图

型号 BCW29,215 BCW30LT1G BCW29,235

描述 TO-236AB PNP 32V 0.1AON SEMICONDUCTOR  BCW30LT1G  单晶体管 双极, PNP, -32 V, 225 mW, -100 mA, 215 hFETO-236AB PNP 32V 0.1A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 3 3 -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.25 W 225 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V 32 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 120 @2mA, 5V 215 @2mA, 5V 120 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - - 120 @2mA, 5V

额定功率(Max) 250 mW 225 mW 250 mW

耗散功率(Max) 250 mW 300 mW 250 mW

频率 100 MHz - -

额定电压(DC) - -32.0 V -

额定电流 - -100 mA -

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 215 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -

ECCN代码 - EAR99 -