对比图
型号 STP120NF10 PSMN5R6-100PS,127 IRFB4710PBF
描述 STMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3Pin(3+Tab) TO-220AB RailN沟道,100V,75A,14mΩ@10V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V - 100 V
额定电流 120 A - 75.0 A
漏源极电阻 0.009 Ω 0.0056 Ω 0.014 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 312 W 306 W 200 W
产品系列 - - IRFB4710
阈值电压 4 V 3 V 5.5 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V - 100 V
连续漏极电流(Ids) 110 A - 75.0 A
上升时间 90 ns 46 ns 130 ns
输入电容(Ciss) 5200pF @25V(Vds) 8061pF @50V(Vds) 6160pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 312 W 306 W 3.8 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
通道数 1 1 -
针脚数 3 - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
下降时间 68 ns 34 ns -
耗散功率(Max) 312000 mW 306W (Tc) -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.4 mm - -
宽度 4.6 mm 4.7 mm -
高度 9.15 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2014/12/17
ECCN代码 EAR99 - -