IRF2907ZSTRLPBF和STB140NF75T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF2907ZSTRLPBF STB140NF75T4 IRF2907ZSPBF

描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 3.5Milliohms; ID 75A; D2Pak; PD 330W; VGS +/-20STB140NF75 系列 N 沟道 75 V 0.0075 Ω 160 nC STripFET™II MosFet - D2PAKN沟道 75V 160A

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

通道数 - - 1

漏源极电阻 4.5 mΩ 0.0065 Ω 4.5 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 310 W 300 W

产品系列 IRF2907ZS - IRF2907ZS

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) - 120 A 75.0 A

输入电容(Ciss) 7500pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 310 W 300 W

输入电容 7500pF @25V - -

漏源击穿电压 75 V 75.0 V -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定电压(DC) - 75.0 V -

额定电流 - 120 A -

阈值电压 - 4 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

上升时间 - 140 ns -

下降时间 - 90 ns -

耗散功率(Max) - 310W (Tc) -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm 10.4 mm -

高度 4.83 mm 4.6 mm -

宽度 - 9.35 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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