NTD4804NT4G和NTD4904N-35G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTD4804NT4G NTD4904N-35G NTD4904NT4G

描述 ON SEMICONDUCTOR  NTD4804NT4G  MOSFET Transistor, N Channel, 19.6 A, 30 V, 3.4 mohm, 10 V, 2.5 V 新功率MOSFET的30 V , 79 A单N沟道, DPAK / IPAK Power MOSFET 30 V, 79 A, Single N−Channel, DPAK/IPAKN 通道功率 MOSFET,30V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0034 Ω - 0.003 Ω

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 1.43 W 2.6 W 2.6 W

阈值电压 2.5 V - 1.6 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 19.0 A, 117 A 17.8A 17.8A

输入电容(Ciss) 4490pF @12V(Vds) 3052pF @15V(Vds) 3052pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.43 W - 1.4 W

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1.43W (Ta), 107W (Tc) 1.4W (Ta), 52W (Tc) 1.4W (Ta), 52W (Tc)

输入电容 4490pF @12V - -

漏源击穿电压 30.0 V - -

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.38 mm - 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20 - -

ECCN代码 EAR99 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台