对比图
型号 IRFS5615PBF STB35NF10T4 STB75NF20
描述 Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3Pin(2+Tab) D2PAKN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 STripFET™，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 144 W 115 W 190 W
产品系列 IRFS5615 - -
漏源极电压(Vds) 150 V 100 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 33.0 A 40.0 A 47.0 A, 75.0 A
输入电容(Ciss) 1750pF @50V(Vds) 1550pF @25V(Vds) 3260pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 144 W 115 W 190 W
额定电压(DC) - 100 V -
额定电流 - 40.0 A -
漏源极电阻 - 0.03 Ω 0.028 Ω
阈值电压 - 3 V 3 V
漏源击穿电压 - 100 V 200 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
上升时间 - 60 ns 33 ns
下降时间 - 15 ns 29 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -50 ℃
耗散功率(Max) - 115W (Tc) 190W (Tc)
针脚数 - - 3
封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.75 mm 10.4 mm
宽度 - 10.4 mm 9.35 mm
高度 - 4.6 mm 4.6 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99