2N3767LEADFREE和JAN2N3766

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3767LEADFREE JAN2N3766 2N3766

描述 TO-66 NPN 80V 4ANPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORPower Transistors TO-66 Case

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-66 TO-66 TO-66

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 25000 mW -

极性 NPN - -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V - -

集电极最大允许电流 4A - -

封装 TO-66 TO-66 TO-66

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

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