对比图
型号 IRG4RC10KDPBF IRG4RC10KDTRPBF
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 9A 38000mW 3Pin(2+Tab) DPAKP沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 38 W 38 W
耗散功率 38000 mW 38000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
反向恢复时间 28 ns 28 ns
额定功率(Max) 38 W 38 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 38000 mW 38000 mW
封装 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm
高度 - 2.39 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Last Time Buy
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free