IRFS4310TRRPBF和STB120NF10T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS4310TRRPBF STB120NF10T4

描述 N沟道 100V 130ASTMICROELECTRONICS  STB120NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 10.5 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-263-3

引脚数 - 3

通道数 1 -

耗散功率 300 W 312 W

产品系列 IRFS4310 -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

输入电容(Ciss) 7670pF @50V(Vds) 5200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 312 W

额定电压(DC) - 100 V

额定电流 - 120 A

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.0105 Ω

极性 - N-Channel

阈值电压 - 4 V

输入电容 - 5200 pF

漏源击穿电压 - 100 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 110 A

上升时间 - 90 ns

下降时间 - 68 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 312000 mW

封装 TO-252-3 TO-263-3

长度 - 10.4 mm

宽度 - 9.35 mm

高度 - 4.6 mm

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

重量 - 0.013607772 kg

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99

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