对比图
型号 MMBT6521LT1G SMMBT6521LT1G MMBT6521LT1
描述 ON SEMICONDUCTOR MMBT6521LT1G 晶体管, 双极性, NPN, 25V V(BR)CEO, 100MNPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistor NPN Silicon
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
引脚数 3 3 -
额定电压(DC) 25.0 V - 25.0 V
额定电流 100 mA - 100 mA
击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 25 V
最小电流放大倍数(hFE) 300 @2mA, 10V 300 @2mA, 10V 300 @2mA, 10V
额定功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW
针脚数 3 - -
极性 NPN NPN -
耗散功率 225 mW 0.3 W -
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -
直流电流增益(hFE) 300 - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 300 mW 225 mW -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 2.9 mm 3.04 mm -
宽度 1.3 mm 2.64 mm -
高度 0.94 mm 1.11 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
ECCN代码 EAR99 - -