对比图
型号 AGR19045EF BLF6G38-50
描述 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS TransistorWiMAX的功率LDMOS晶体管 WiMAX power LDMOS transistor
数据手册 --
制造商 Qorvo NXP (恩智浦)
分类
安装方式 - Surface Mount
封装 - SOT502B
漏源极电阻 - 290 mΩ
漏源击穿电压 - 65 V
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃
耗散功率 115 W -
输出功率 9.5 W -
增益 15 dB -
长度 20.32 mm 20.02 mm
宽度 10.16 mm 9.91 mm
高度 3.48 mm 4.72 mm
封装 - SOT502B
产品生命周期 Obsolete Unknown
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
香港进出口证 - NLR