对比图
型号 FF150R12KT3GHOSA1 SKM150GB12T4G
描述 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 225 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, ModuleSEMIKRON SKM150GB12T4G 晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 223 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Semikron (赛米控)
分类 IGBT晶体管
引脚数 7 7
封装 AG-62MM-1 Module
安装方式 - Screw
耗散功率 780 W -
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V -
输入电容(Cies) 11nF @25V -
额定功率(Max) 780 W -
工作温度(Max) 125 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 780000 mW -
针脚数 - 7
极性 - Dual N-Channel
封装 AG-62MM-1 Module
工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15