对比图
型号 FDS3692 SI4100DY-T1-GE3 IRF7490PBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS3692 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 100 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorN 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
额定电压(DC) 100 V - -
额定电流 4.5 A - -
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.05 Ω 0.051 Ω 0.039 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 6 W 2.5 W
阈值电压 4 V 2 V 4 V
输入电容 746 pF - -
栅电荷 11.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 4.50 A - 5.4A
上升时间 26 ns 12 ns 4.2 ns
输入电容(Ciss) 746pF @25V(Vds) 600pF @50V(Vds) 1720pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W - -
下降时间 26 ns 10 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 6 W 2.5W (Ta)
额定功率 - - 2.5 W
通道数 - - 1
长度 5 mm 5 mm 5 mm
宽度 4 mm 4 mm 3.9 mm
高度 1.5 mm 1.55 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active - Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -