FQD7N20LTM和STD5N20LT4

对比图

型号 FQD7N20LTM STD5N20LT4 AOD450

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTMICROELECTRONICS  STD5N20LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 200 V, 650 mohm, 5 V, 2.5 V200V,3.8A,N沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-CH N-Channel, P-Channel N-CH

耗散功率 2.5 W 33 W 2.1 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 5.50 A 5.00 A 3.8A

上升时间 125 ns 21.5 ns 3.3 ns

输入电容(Ciss) 500pF @25V(Vds) 242pF @25V(Vds) 215pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 33 W 2.1 W

下降时间 65 ns 15.5 ns 2.8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 33W (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc)

额定电压(DC) 200 V 200 V -

额定电流 5.50 A 5.00 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.65 Ω -

阈值电压 - 2.5 V -

漏源击穿电压 - 200 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

香港进出口证 - - NLR