对比图
型号 SIA414DJ-T1-GE3 SIA436DJ-T1-GE3
描述 VISHAY SIA414DJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 8 V, 0.009 ohm, 4.5 V, 800 mVVISHAY SIA436DJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 8 V, 0.0078 ohm, 4.5 V, 350 mV
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 SC-70 SC-70
针脚数 6 6
漏源极电阻 0.009 Ω 0.0078 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 3.5 W 19 W
阈值电压 800 mV 350 mV
漏源极电压(Vds) 8 V 8 V
输入电容(Ciss) - 1508pF @4V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 19 W
连续漏极电流(Ids) 12.0 A -
上升时间 10 ns -
下降时间 20 ns -
长度 - 1.7 mm
宽度 - 1.7 mm
高度 - 0.8 mm
封装 SC-70 SC-70
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free -