对比图
型号 CSD25485F5 CSD25485F5T CSD25481F4
描述 CSD25485F5 20V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET-20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.8x1.5、42mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25481W4
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3
极性 P-CH P-CH P-CH
耗散功率 1.4 W 1.4 W 0.5 W
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 5.3A 5.3A 2.5A
上升时间 6 ns 6 ns 3.6 ns
输入电容(Ciss) 410pF @10V(Vds) 410pF @10V(Vds) 189pF @10V(Vds)
下降时间 14 ns 14 ns 6.7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1400 mW 1400 mW 500 mW
阈值电压 - 1.3 V 950 mV
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 250 mΩ -
漏源击穿电压 - 20 V -
封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3
长度 - 1.53 mm 1 mm
宽度 - 0.77 mm 0.6 mm
高度 - 0.35 mm 0.35 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -