对比图
型号 TPS1100PW TPS1100PWG4 TPS1100PWR
描述 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 TSSOP-8 TSSOP-8 TSSOP-8
额定电压(DC) - - -15.0 V
额定电流 - - -1.27 mA
通道数 1 1 1
漏源极电阻 - 180 mΩ 180 mΩ
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 0.504 W 504 mW 0.504 W
漏源极电压(Vds) 15 V -15.0 V 15 V
漏源击穿电压 - 15 V 15 V
连续漏极电流(Ids) 1.27A 1.27A 400 mA
上升时间 10 ns 10 ns 10 ns
下降时间 2 ns 10 ns 2 ns
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ 40 ℃
耗散功率(Max) 504mW (Ta) 504 mW 504mW (Ta)
额定功率(Max) 504 mW - -
长度 - 4.4 mm 4.4 mm
宽度 3 mm 3 mm 3 mm
高度 1.05 mm 1.2 mm 1.2 mm
封装 TSSOP-8 TSSOP-8 TSSOP-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) - -40℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free