对比图
型号 IPP50R199CP STF23NM50N IPP50R199CPHKSA1
描述 INFINEON IPP50R199CP. 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STF23NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.162 ohm, 10 V, 3 VINFINEON IPP50R199CPHKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.18 Ω 0.162 Ω 0.18 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 139 W 30 W 139 W
阈值电压 3 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 550 V 500 V 550 V
连续漏极电流(Ids) 17.0 A - 17A
上升时间 14 ns 19 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 1800pF @100V(Vds) 1330pF @50V(Vds) 1800pF @100V(Vds)
下降时间 10 ns 29 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 30W (Tc) 139W (Tc)
额定功率(Max) 139 W 30 W -
通道数 1 - -
漏源击穿电压 500 V - -
长度 10 mm 10.4 mm 10 mm
宽度 4.4 mm 4.6 mm 4.4 mm
高度 15.65 mm 16.4 mm 15.65 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -