BD243C-S和BD243CG

对比图

型号 BD243C-S BD243CG BD243C

描述 TO-220 NPN 100V 6ANPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管STMICROELECTRONICS  BD243C  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 3 MHz, 65 W, 6 A, 30 hFE

数据手册 ---

制造商 Bourns J.W. Miller (伯恩斯) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 6A - -

最小电流放大倍数(hFE) 15 @3A, 4V 15 @3A, 4V 15 @3A, 4V

额定功率(Max) 2 W 65 W 65 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 65000 mW 65000 mW 65000 mW

频率 - 3 MHz 3 MHz

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 6.00 A 6.00 A

额定功率 - - 65 W

针脚数 - 3 3

耗散功率 - 65 W 65 W

直流电流增益(hFE) - 30 30

长度 10.4 mm 10.28 mm 10.4 mm

宽度 4.7 mm 4.82 mm 4.6 mm

高度 9.3 mm 15.75 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -