对比图
型号 FQD17P06TF FQD17P06TM STD10PF06T4
描述 Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD17P06TM 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V 新STMICROELECTRONICS STD10PF06T4 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V
额定电流 -12.0 A -12.0 A -10.0 A
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 135 mΩ 0.11 Ω 0.18 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5 W 40 W
阈值电压 - 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 - - 60 V
栅源击穿电压 ±25.0 V ±25.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12.0 mA 10.0 A
上升时间 100 ns 100 ns 40 ns
输入电容(Ciss) 900pF @25V(Vds) 900pF @25V(Vds) 850pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 40 W
下降时间 - 60 ns 10 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 65 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5 W 40W (Tc)
输入电容 690 pF - -
栅电荷 21.0 nC - -
长度 - 6.73 mm 6.6 mm
宽度 - 6.22 mm 6.2 mm
高度 - 2.39 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -