BD249和BD249-S

对比图

型号 BD249 BD249-S 2N5883

描述 NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORSNPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORSBipolar Transistors - BJT PNP Transistor

数据手册 ---

制造商 Bourns J.W. Miller (伯恩斯) Bourns J.W. Miller (伯恩斯) Microsemi (美高森美)

分类 电流滤波器件双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 - TO-218-3 TO-3

引脚数 - 3 -

封装 - TO-218-3 TO-3

长度 - 15.2 mm -

宽度 - 4.9 mm -

高度 - 12.2 mm -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

极性 - NPN -

耗散功率 - 125 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V -

集电极最大允许电流 - 25A -

最小电流放大倍数(hFE) - 10 @15A, 4V -

额定功率(Max) - 3 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 65 ℃ -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -