对比图
型号 BUZ11A IRFR024NTRPBF IRFZ24N
描述 SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)INFINEON IRFR024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 VN沟道 55V 17A
数据手册 ---
制造商 Siemens Semiconductor (西门子) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220 TO-252-3 TO-220
额定功率 - 38 W -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.075 Ω 70.0 mΩ
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 75 W 45 W 45.0 W
阈值电压 - 4 V -
输入电容 - 370pF @25V -
漏源极电压(Vds) - 55 V 55.0 V
漏源击穿电压 - 55 V 55.0 V
连续漏极电流(Ids) - 17A 17.0 A
上升时间 95 ns 34 ns 34 ns
输入电容(Ciss) - 370pF @25V(Vds) 370pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 45 W -
下降时间 20 ns 27 ns 27 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 45W (Tc) 45000 mW
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 17.0 A
产品系列 - - IRFZ24N
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 - 6.73 mm -
宽度 - 6.22 mm -
高度 - 2.39 mm -
封装 TO-220 TO-252-3 TO-220
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
材质 - - Silicon
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 - Non-Compliant
含铅标准 - Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -