FCPF9N60NT和STF15NM60ND

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FCPF9N60NT STF15NM60ND SPA15N60CFD

描述 N沟道MOSFET 600V , 9A , 0.385Ω N-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.385ΩN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsCoolMOSTM功率晶体管特性的内在快速恢复体二极管 CoolMOSTM Power Transistor Features Intrinsic fast-recovery body diode

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 29.8 W 30 W 34 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 9A - 13.4 A

上升时间 8.7 ns 20 ns 24 ns

输入电容(Ciss) 1240pF @100V(Vds) 1250pF @50V(Vds) 1820pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 29.8 W 30 W 34 W

下降时间 10.2 ns 28 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 29.8W (Tc) 30W (Tc) 34000 mW

通道数 - 1 -

漏源极电阻 0.33 Ω 0.27 Ω -

阈值电压 2 V 4 V -

长度 10.36 mm 10.4 mm 10.65 mm

宽度 4.9 mm 4.6 mm 4.85 mm

高度 16.07 mm 16.4 mm 16.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Not Recommended

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

香港进出口证 - NLR -

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