BCW32LT1G和PUMB17,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW32LT1G PUMB17,115 BCW33

描述 ON SEMICONDUCTOR  BCW32LT1G  单晶体管 双极, NPN, 32 V, 225 mW, 100 mA, 200 hFETSSOP PNP 50V 100mANPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 6 3

封装 SOT-23-3 TSSOP-6 SOT-23-3

频率 - - 200 MHz

额定电压(DC) 32.0 V - 32.0 V

额定电流 100 mA - 500 mA

极性 NPN PNP NPN

耗散功率 225 mW 300 mW 0.35 W

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 50 V 32 V

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 60 @5mA, 5V 420 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - - 800

额定功率(Max) 225 mW 300 mW 350 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -50 ℃ -65 ℃ 55 ℃

针脚数 3 - -

集电极最大允许电流 0.1A 100mA -

直流电流增益(hFE) 200 - -

耗散功率(Max) 225 mW 300 mW -

长度 3.04 mm - 2.92 mm

宽度 1.4 mm - 1.3 mm

高度 1.11 mm 1 mm 0.93 mm

封装 SOT-23-3 TSSOP-6 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台