对比图
描述 VISHAY VS-FB180SA10P 单晶体管 双极, N沟道, 180 A, 100 V, 6.5 mohm, 10 VVISHAY VS-FB190SA10 单晶体管 双极, N沟道, 190 A, 100 V, 0.0054 ohm, 10 V, 3.3 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4
漏源极电阻 6.5 mΩ 0.0054 Ω
极性 - N-Channel
耗散功率 480 W 568 W
阈值电压 - 3.3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
上升时间 - 351 ns
输入电容(Ciss) 10700pF @25V(Vds) 10700pF @25V(Vds)
下降时间 - 335 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 480W (Tc) 568 W
长度 - 38.3 mm
宽度 - 25.7 mm
高度 - 12.3 mm
封装 SOT-227-4 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free