对比图
型号 FQP13N10 IRFZ14PBF STP14NF12
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP13N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.8 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 4 VVISHAY IRFZ14PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 200 mohm, 10 V, 4 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 60.0 V -
额定电流 12.8 A 10.0 A -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.142 Ω 0.2 Ω 0.16 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 65 W 36 W 60 W
阈值电压 4 V 4 V 3 V
输入电容 - 300pF @25V -
漏源极电压(Vds) 100 V 60 V 120 V
漏源击穿电压 100 V 60 V -
连续漏极电流(Ids) 12.8 A 10.0 A 7.00 A
上升时间 55 ns 50 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 450pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds) 460pF @25V(Vds)
下降时间 25 ns 19 ns 8 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 65W (Tc) 43 W 60W (Tc)
栅源击穿电压 ±25.0 V - -
额定功率(Max) 65 W - -
长度 10.1 mm 10.51 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.7 mm 4.6 mm
高度 9.4 mm 15.49 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
产品生命周期 Active - Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -