J110-E3和P6SMB150A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 J110-E3 P6SMB150A

描述 Trans JFET N-CH 3Pin TO-92Diode TVS Single Uni-Dir 128V 600W 2Pin SMB T/R

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Bourns J.W. Miller (伯恩斯)

分类 二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 3 2

封装 TO-92 DO-214AA

钳位电压 - 207 V

测试电流 - 1 mA

脉冲峰值功率 - 600 W

最小反向击穿电压 - 143 V

击穿电压 - 143 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

工作结温 - -55℃ ~ 150℃

耗散功率 350 mW -

耗散功率(Max) 350 mW -

长度 - 4.57 mm

宽度 - 3.94 mm

高度 4.7 mm 2.2 mm

封装 TO-92 DO-214AA

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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