对比图
型号 IRF2807PBF IRFZ48VPBF HUF75542P3
描述 INFINEON IRF2807PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRFZ48VPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 72 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75542P3.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 80 V, 14 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 200 W 150 W -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.013 Ω 0.012 Ω 0.014 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 150 W 230 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
输入电容 3820pF @25V 1985 pF -
漏源极电压(Vds) 75 V 60 V 80 V
漏源击穿电压 75 V 60 V 20.0 V
连续漏极电流(Ids) 82A 72A 75.0 A
上升时间 64 ns 200 ns 117 ns
输入电容(Ciss) 3820pF @25V(Vds) 1985pF @25V(Vds) 2750pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 230 W 150 W 230 W
下降时间 48 ns 166 ns 80 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 230W (Tc) 150W (Tc) 230W (Tc)
额定电压(DC) - - 80.0 V
额定电流 - - 75.0 A
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 10.54 mm 10.66 mm -
高度 8.77 mm 8.77 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
宽度 4.69 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - - EAR99