对比图
型号 IXFH21N50Q IXTH21N50 STW20NM50
描述 TO-247AD N-CH 500V 21ATO-247AD N-CH 500V 21ASTMICROELECTRONICS STW20NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) - - 550 V
额定电流 - - 20.0 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 250 mΩ
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 280W (Tc) 300 W 214 W
阈值电压 - - 4 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 550 V
漏源击穿电压 - - 550 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 21A 21A 20.0 A
上升时间 - - 16 ns
输入电容(Ciss) 3000pF @25V(Vds) 4200pF @25V(Vds) 1480pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W 214 W
下降时间 - - 8.5 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) 280W (Tc) 300W (Tc) 214W (Tc)
额定功率 - 300 W -
长度 - - 15.75 mm
宽度 - - 5.15 mm
高度 - - 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Last Time Buy Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17