CMPTH10和MMBTH10LT1G

对比图

型号 CMPTH10 MMBTH10LT1G MMBTH10_NL

描述 NPN SILICON RF TRANSISTORON SEMICONDUCTOR  MMBTH10LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFENPN RF Transistor

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

频率 - 650 MHz -

额定电压(DC) - 25.0 V -

额定电流 - 4.00 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 3 -

极性 - NPN -

耗散功率 - 225 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 25 V -

最小电流放大倍数(hFE) 60 60 @4mA, 10V -

额定功率(Max) - 225 mW -

直流电流增益(hFE) - 60 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 225 mW -

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1.01 mm -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 End of Life Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99