BSS100和BSS100E6288

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS100 BSS100E6288

描述 N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorTO-92 N-CH 100V 0.22A

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-92 TO-92

额定电压(DC) 100 V -

额定电流 220 mA -

输入电容 60.0 pF -

栅电荷 2.00 nC -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 220 mA 0.22A

极性 - N-CH

封装 TO-92 TO-92

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 Tape -

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead -

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