对比图
型号 IRF3709SPBF STB95N3LLH6 IRF3709STRLPBF
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3709SPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 90A, D2-PAK 新N 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。INFINEON IRF3709STRLPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 90A, 30V, 3.1W
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 90.0 A - -
通道数 1 - 1
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 9 mΩ 0.0037 Ω 10.5 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.1 W 70 W 3.1 W
产品系列 IRF3709S - -
阈值电压 3 V 1 V 20 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 90.0 A 80A 90A
上升时间 171 ns 91 ns 171 ns
输入电容(Ciss) 2672pF @16V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 2672pF @16V(Vds)
额定功率(Max) 3.1 W - -
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
下降时间 - 23.4 ns 9.2 ns
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 70W (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc)
额定功率 - - 120 W
输入电容 - - 2672pF @16V
漏源击穿电压 - - 30 V
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
长度 - 10.75 mm 6.5 mm
宽度 - 10.4 mm 6.22 mm
高度 - 4.6 mm 2.3 mm
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 -