对比图
型号 BSM100GB120DN2K FZ400R12KS4 B120
描述 IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)62毫米C系列模块，具有快速IGBT2高频开关 62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switchingBREAKER 20A 1P 120V 10K BL
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Siemens Semiconductor (西门子)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Screw Screw -
引脚数 7 4 -
封装 34MM-1 AG-62MM-2 -
工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃ -
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -
耗散功率(Max) 700000 mW 2500000 mW -
耗散功率 700 W - -
击穿电压(集电极-发射极) 1.20 kV - -
长度 94 mm 106.4 mm -
宽度 34 mm 61.4 mm -
高度 30.5 mm 36.5 mm -
封装 34MM-1 AG-62MM-2 -
工作温度 - -40℃ ~ 125℃ -
产品生命周期 Not Recommended Active Obsolete
包装方式 - Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -
ECCN代码 - EAR99 -