BFN19E6327HTSA1和BFN19H6327XTSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFN19E6327HTSA1 BFN19H6327XTSA1 BST16TC

描述 SOT-89 PNP 300V 0.2A双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORSSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 4 4 -

封装 SOT-89 SOT-89-4 -

极性 PNP PNP -

耗散功率 1 W 1000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V -

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @30mA, 10V -

额定功率(Max) - 1 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -

频率 100 MHz - -

封装 SOT-89 SOT-89-4 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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